国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223743649U，申请日期为2025年2月电子器件 。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种沟槽型MOSFET器件，包括器件盒，所述器件盒外壁设置有栅极且器件盒底部开设有两个散热槽，所述器件盒上端面设置有密封盖板且密封盖板上端面固定连接有推板，所述器件盒上端面位于密封盖板两侧均设置有拆卸组件，所述拆卸组件包含限位盒、导向架和定位块，所述限位盒数量设置有两个且限位盒均固定连接在器件盒上端，两个所述限位盒内部均开设有安装槽且安装槽内部均设置有两个导向滑板，所述器件盒内部设置有电子元件，两组所述导向滑板外壁均滑动连接有导向架，两个所述导向架上端均固定设置有拉杆且两个导向架尺寸大小相同，能够实现对MOSFET器件盒快速拆装对内部电子元件进行维修，具有实用性电子器件 。
天眼查资料显示，无锡龙夏微电子有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业电子器件 。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡龙夏微电子有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯