国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种GaN功率器件”的专利，公开号CN121285000A，申请日期为2025年9月电子器件 。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种GaN功率器件，由下至上依次包括：衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层以及外延生长的GaN功率器件和温度传感器；在所述的温度传感器与GaN功率器件之间还设有中间隔离带电子器件 。通过本公开实施例的方案，能够优化器件的温度特性，有利于提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业电子器件 。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息11条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯