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杰冠微电子取得高短路保护设计器件专利，提高器件的短路耐受能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州杰冠微电子有限公司取得一项名为“高短路保护设计器件”的专利，授权公告号CN223639612U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，高短路保护设计器件，涉及
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华太电子申请SiC横向JFET器件专利，解决传统器件制造困难的技术问题:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种SiC横向JFET器件”的专利，公开号CN121262865A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请提供一
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振华科技：功率器件聚焦高新电子领域:电子器件
证券之星消息，振华科技(000733)10月26日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题电子器件。投资者提问：您好电子器件，请问贵司的功率半导体，如IGBT等器件，符合车规级吗？振华科技回复：
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龙夏微电子取得沟槽型MOSFET器件专利，能够实现对MOSFET器件盒快速拆装对内部电子元件进行维修:电子器件
国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223743649U，申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示，本实用新型公开了
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华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利，提高器件良率:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121038324A，申请日期为2025年8月电子器件。专利摘要显示，本发明涉及一种半导
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智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。
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深圳争妍微电子申请一种GaN功率器件专利，有利于提高器件的可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种GaN功率器件”的专利，公开号CN121285000A，申请日期为2025年9月电子器件。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种GaN
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必易微电子取得一种电子封装器件专利，提高系统集成度:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市必易微电子股份有限公司取得一项名为“一种电子封装器件”的专利，授权公告号CN223584021U，申请日期为2024年10月电子器件。专利摘要显示，本实用新型提供了一种
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华微电子取得半导体器件制造方法专利:电子器件
国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司取得一项名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”的专利，授权公告号CN115513058B，申请日期为2022年10月电子器件。天眼查资料
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上海擎茂微电子取得IGBT器件专利:电子器件
国家知识产权局信息显示，上海擎茂微电子科技有限公司取得一项名为“IGBT器件”的专利，授权公告号CN115832031B，申请日期为2022年11月电子器件。天眼查资料显示，上海擎茂微电子科技有限