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格力电子元器件取得半导体器件及其制备方法专利:电子器件
国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司取得一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN120751731B，申请日期为2025年9月电子器件。天眼查资料显示，珠海格力电子元
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晶科电子取得LED封装器件专利，LED器件所有方向出光角度一致:电子器件
国家知识产权局信息显示，广东晶科电子股份有限公司取得一项名为“一种LED封装器件”的专利，授权公告号CN223772439U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，本实用新型公开了一种
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艾力特电子取得气密封结构射频同轴器件专利，降低了射频同轴器件泄露的可能:电子器件
国家知识产权局信息显示，西安艾力特电子实业有限公司取得一项名为“一种气密封结构的射频同轴器件”的专利，授权公告号CN223728989U，申请日期为2025年1月电子器件。专利摘要显示，本实用新型
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华太电子申请SiC横向JFET器件专利，解决传统器件制造困难的技术问题:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种SiC横向JFET器件”的专利，公开号CN121262865A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请提供一
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西藏弘特取得电子元器件刮胶装置专利，防止刮胶时元器件晃动:电子器件
国家知识产权局信息显示，西藏弘特科技有限公司取得一项名为“一种电子元器件生产加工用刮胶装置”的专利，授权公告号CN223775225U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，本实用新型
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锝耀电子申请双向TVS半导体器件专利，避免虚焊提高器件电性能可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州锝耀电子有限公司申请一项名为“双向TVS半导体器件”的专利，公开号CN121311050A，申请日期为2021年5月电子器件。专利摘要显示，本发明公开一种双向TVS半导
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杰冠微电子取得高短路保护设计器件专利，提高器件的短路耐受能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州杰冠微电子有限公司取得一项名为“高短路保护设计器件”的专利，授权公告号CN223639612U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，高短路保护设计器件，涉及
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华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利，提高器件良率:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121038324A，申请日期为2025年8月电子器件。专利摘要显示，本发明涉及一种半导
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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利，降低了功耗:电子器件
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利，公开号CN121013360A，申请日期为2024年5月电子器件
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智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。