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  • 智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

    智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利,简化制造工艺步骤:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利,公开号CN121001370A,申请日期为2025年7月电子器件。

    2026-01-11
  • 华太电子申请SiC横向JFET器件专利,解决传统器件制造困难的技术问题:电子器件

    华太电子申请SiC横向JFET器件专利,解决传统器件制造困难的技术问题:电子器件

    产品展示 # 华太电 # 申请 # 利 # 解 # JFET # SiC华太电 # SiC # 电子器件

    国家知识产权局信息显示,苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种SiC横向JFET器件”的专利,公开号CN121262865A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请提供一

    2026-01-11
  • 华微电子取得半导体器件制造方法专利:电子器件

    华微电子取得半导体器件制造方法专利:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,吉林华微电子股份有限公司取得一项名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”的专利,授权公告号CN115513058B,申请日期为2022年10月电子器件。天眼查资料

    2026-01-11
  • 泓淋电力:公司所属行业为电力电子元器件制造:电子器件

    泓淋电力:公司所属行业为电力电子元器件制造:电子器件

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    证券之星消息,泓淋电力(301439)11月20日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题电子器件。投资者提问:请问公司属于电网设备行业还是电源设备行业电子器件?泓淋电力回复:尊敬的投资者您好,

    2026-01-11
  • 艾迈斯-欧司朗申请发光材料及相关制造方法、用途和光电子器件专利,可应用于光电子器件:电子器件

    艾迈斯-欧司朗申请发光材料及相关制造方法、用途和光电子器件专利,可应用于光电子器件:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“发光材料、用于制造发光材料的方法、发光材料的用途和光电子器件”的专利,公开号CN121013898A,申请日期为2024年7月电子器

    2026-01-11
  • 海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

    海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利,降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,深圳市海德门电子有限公司申请一项名为“RFID/NFC器件及其制备方法”的专利,公开号CN121034965A,申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示,本申请公开

    2026-01-11
  • 无锡驭风智研科技申请一种光电子器件封装外壳专利,提高光电子器件散热性能:电子器件

    无锡驭风智研科技申请一种光电子器件封装外壳专利,提高光电子器件散热性能:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,无锡驭风智研科技有限公司申请一项名为“一种光电子器件封装外壳”的专利,公开号CN121261200A,申请日期为2025年9月电子器件。专利摘要显示,本发明提供一种光电子器

    2026-01-11
  • 华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利,提高器件良率:电子器件

    华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利,提高器件良率:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利,公开号CN121038324A,申请日期为2025年8月电子器件。专利摘要显示,本发明涉及一种半导

    2026-01-11
  • 默克申请用于光电器件的有机杂环化合物专利,适用于电子器件中的有机杂环化合物以及包含这些化合物的电子器件:电子器件

    默克申请用于光电器件的有机杂环化合物专利,适用于电子器件中的有机杂环化合物以及包含这些化合物的电子器件:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,默克专利有限公司申请一项名为“用于光电器件的有机杂环化合物”的专利,公开号CN121264197A,申请日期为2024年6月电子器件。专利摘要显示,本发明涉及适用于电子器件

    2026-01-11
  • 广州华星光电取得半导体器件及电子器件专利:电子器件

    广州华星光电取得半导体器件及电子器件专利:电子器件

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    国家知识产权局信息显示,广州华星光电半导体显示技术有限公司取得一项名为“半导体器件及电子器件”的专利,授权公告号CN115799263B,申请日期为2022年11月电子器件。天眼查资料显示,广州华

    2026-01-11
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