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龙夏微电子取得沟槽型MOSFET器件专利，能够实现对MOSFET器件盒快速拆装对内部电子元件进行维修:电子器件
国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223743649U，申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示，本实用新型公开了
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杰冠微电子取得高短路保护设计器件专利，提高器件的短路耐受能力:电子器件
国家知识产权局信息显示，扬州杰冠微电子有限公司取得一项名为“高短路保护设计器件”的专利，授权公告号CN223639612U，申请日期为2024年12月电子器件。专利摘要显示，高短路保护设计器件，涉及
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华南微电子申请一种半导体器件及其制造方法专利，提高器件良率:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市华南微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121038324A，申请日期为2025年8月电子器件。专利摘要显示，本发明涉及一种半导
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智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。
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深圳争妍微电子申请一种GaN功率器件专利，有利于提高器件的可靠性:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种GaN功率器件”的专利，公开号CN121285000A，申请日期为2025年9月电子器件。专利摘要显示，本公开实施例提供了一种GaN
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必易微电子取得一种电子封装器件专利，提高系统集成度:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市必易微电子股份有限公司取得一项名为“一种电子封装器件”的专利，授权公告号CN223584021U，申请日期为2024年10月电子器件。专利摘要显示，本实用新型提供了一种
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华微电子取得半导体器件制造方法专利:电子器件
国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司取得一项名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”的专利，授权公告号CN115513058B，申请日期为2022年10月电子器件。天眼查资料
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上海擎茂微电子取得IGBT器件专利:电子器件
国家知识产权局信息显示，上海擎茂微电子科技有限公司取得一项名为“IGBT器件”的专利，授权公告号CN115832031B，申请日期为2022年11月电子器件。天眼查资料显示，上海擎茂微电子科技有限
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默克申请用于光电器件的有机杂环化合物专利，适用于电子器件中的有机杂环化合物以及包含这些化合物的电子器件:电子器件
国家知识产权局信息显示，默克专利有限公司申请一项名为“用于光电器件的有机杂环化合物”的专利，公开号CN121264197A，申请日期为2024年6月电子器件。专利摘要显示，本发明涉及适用于电子器件
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泰科电子（上海）申请用于安置电子器件的电子组件及液冷式电子系统专利，电子器件密封式封装且浸没于冷却液中:电子器件
国家知识产权局信息显示，泰科电子（上海）有限公司申请一项名为“用于安置电子器件的电子组件、和液冷式电子系统”的专利，公开号CN121057153A，申请日期为2024年5月电子器件。专利摘要显示，本