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海德门电子申请RFID/NFC器件及其制备方法专利，降低制备RFID/NFC器件的工艺复杂度:电子器件
国家知识产权局信息显示，深圳市海德门电子有限公司申请一项名为“RFID/NFC器件及其制备方法”的专利，公开号CN121034965A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请公开
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智芯微电子申请LDMOSFET器件的制造方法及器件专利，简化制造工艺步骤:电子器件
国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件”的专利，公开号CN121001370A，申请日期为2025年7月电子器件。
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华太电子申请SiC横向JFET器件专利，解决传统器件制造困难的技术问题:电子器件
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种SiC横向JFET器件”的专利，公开号CN121262865A，申请日期为2025年10月电子器件。专利摘要显示，本申请提供一
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山东首明科技申请高透光散热型电子封装材料专利，提高电子封装材料的综合性能:电子科技
国家知识产权局信息显示，山东首明科技有限公司申请一项名为“一种高透光散热型电子封装材料及其制备方法”的专利，公开号CN121248930A，申请日期为2025年11月电子科技。专利摘要显示，本发明
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