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龙夏微电子取得沟槽型MOSFET器件专利，能够实现对MOSFET器件盒快速拆装对内部电子元件进行维修:电子器件
国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223743649U，申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示，本实用新型公开了
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国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223743649U，申请日期为2025年2月电子器件。专利摘要显示，本实用新型公开了