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中芯国际申请半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置专利,降低了功耗:电子器件
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国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“一种半导体器件的形成方法、半导体器件和电子装置”的专利,公开号CN121013360A,申请日期为2024年5月电子器件
2026-01-11
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